Prof. Dr. Alex Dommann NT Buchs Analytik an ultraschnellem Silizium (SiGe) Donnerstag 5. Juni 2003, um 19:30 Uhr ETH Hauptgebäude Hörsaal HG F5, Rämistrasse 101

X-ray RSM around two Bragg reflections of a complete high-speed pMOS layer sequence. The areas of the strained channel have been measured with reduced resolution and extended exposure time to compensate for the low intensity resulting from the small layer thickness.

Bei Unaxis wurden in Zusammenarbeit mit der Gruppe von PD H. von Känel (ETHZ) ein neuartiger Prozess und entsprechende Produktionsanlagen entwickelt zur Herstellung von elektronischen Bauelementen auf SiGe-Basis, welche anschliessend in konventionellen CMOS-Linien weiter prozessiert werden können.

Der neuentwickelte "niederenergetische plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidungsprozess (Low Energy Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition LEPECVD) wurde ausgetestet und zur Produktionstauglichkeit, vorallem für Heterojunction-Feldeffekt-Transistoren (H-FETs), weiterentwickelt.

E-Mail: alex.dommann@ntb.ch
Web: www.ntb.ch/2262.html

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LEPECVD Provides High-Quality Virtual Substrates	PDF	69.1 kB	<10 Sekunden

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